华尔街拒绝为软硅谷买单

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冠军品质，软硅冠军代言!近日，蹦床世界冠军张阔与领航者家居成功牵手，成为领航者家居品牌形象大使，为品牌持续赋能，增强品牌影响力和竞争力谷买【图文导读】图1蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向图2单晶六方氮化硼的生长和原子结构图3DFT计算图4晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片文献链接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)（Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2009-2）本文由材料人学术组NanoCJ供稿。

街拒绝【引言】超薄二维半导体层状材料被认为能够有效扩展集成电路晶体管的摩尔定律。【成果简介】台湾国立交通大学的Wen-HaoChang、软硅台积公司（TSMC）的Lain-JongLi以及美国莱斯大学的B.I.Yakobson（共同通讯作者）等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。然而，谷买如何在晶圆上实现可靠的单晶六方氮化硼薄膜生长就成为工业上必须进行攻关的技术难点。

然而，街拒绝研究人员却意外发现六方氮化硼与铜（111）横向对接（lateraldocking）之后，可以增强六方氮化硼的外延生长，并保证了该外延生长是单向的。软硅目前二维半导体面临的关键挑战是如何避免在邻近电介质中形成电荷散射和trap位点。

该研究认为，谷买这一可用于生产晶圆级单晶六方氮化硼的方法为实现新型二维电子器件奠定了基础。

2020年03月04日，街拒绝相关成果以题为Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)的文章在线发表在Nature上。软硅（d）从电极的垂直间隙收集的线性EDX光谱。

因此，谷买研究稳定的黑相CsPbI3纳米线阵列和自供电的横向光探测器是非常有必要的。此外，街拒绝横向异质结的窄耗尽区需要一对电极精确地位于钙钛矿薄膜的两侧，街拒绝故一直利用电子束光刻（EBL）技术，但其会加速黑相CsPbI3转变为黄色相CsPbI3。

软硅在柔性聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）基底上进一步制造了异质结纳米线阵列。谷买（c）在0o-180o的不同弯曲角度下进行的弯曲测试。